RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Mã sản phẩm
RFD3055LESM9A
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252AA
Tản điện (Tối đa)
38W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
107 mOhm @ 8A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11.3nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54903 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của RFD3055LESM9A
RFD3055LESM9A Linh kiện điện tử
RFD3055LESM9A Việc bán hàng
RFD3055LESM9A Nhà cung cấp
RFD3055LESM9A Nhà phân phối
RFD3055LESM9A Bảng dữ liệu
RFD3055LESM9A Ảnh
RFD3055LESM9A Giá
RFD3055LESM9A Lời đề nghị
RFD3055LESM9A Giá thấp nhất
RFD3055LESM9A Tìm kiếm
RFD3055LESM9A Thu mua
RFD3055LESM9A Chip