Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
RFD3055
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Mã sản phẩm
RFD3055
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-251AA
Tản điện (Tối đa)
53W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
150 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
23nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27124 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của RFD3055
RFD3055 Linh kiện điện tử
RFD3055 Việc bán hàng
RFD3055 Nhà cung cấp
RFD3055 Nhà phân phối
RFD3055 Bảng dữ liệu
RFD3055 Ảnh
RFD3055 Giá
RFD3055 Lời đề nghị
RFD3055 Giá thấp nhất
RFD3055 Tìm kiếm
RFD3055 Thu mua
RFD3055 Chip