Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
RFD3055LE
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Mã sản phẩm
RFD3055LE
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-251AA
Tản điện (Tối đa)
38W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
107 mOhm @ 8A, 5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11.3nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V
VSS (Tối đa)
±16V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48555 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của RFD3055LE
RFD3055LE Linh kiện điện tử
RFD3055LE Việc bán hàng
RFD3055LE Nhà cung cấp
RFD3055LE Nhà phân phối
RFD3055LE Bảng dữ liệu
RFD3055LE Ảnh
RFD3055LE Giá
RFD3055LE Lời đề nghị
RFD3055LE Giá thấp nhất
RFD3055LE Tìm kiếm
RFD3055LE Thu mua
RFD3055LE Chip