AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM605Q N-channel 60V 58A 6.2mΩ

AGM605Q

N-channel 60V 58A 6.2mΩ
Mã sản phẩm
AGM605Q
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
DFN5x6
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 90367 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của AGM605Q
AGM605Q Linh kiện điện tử
AGM605Q Việc bán hàng
AGM605Q Nhà cung cấp
AGM605Q Nhà phân phối
AGM605Q Bảng dữ liệu
AGM605Q Ảnh
AGM605Q Giá
AGM605Q Lời đề nghị
AGM605Q Giá thấp nhất
AGM605Q Tìm kiếm
AGM605Q Thu mua
AGM605Q Chip