AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM605C N-channel 60V 80A 4.5mΩ

AGM605C

N-channel 60V 80A 4.5mΩ
Mã sản phẩm
AGM605C
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
TO-220C
đóng gói
Tube
Số lượng gói
50
Sự miêu tả
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 25W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 44.5nC@0V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.413nF@25V , Vds=60V Id=80A Rds=4.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 60983 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của AGM605C
AGM605C Linh kiện điện tử
AGM605C Việc bán hàng
AGM605C Nhà cung cấp
AGM605C Nhà phân phối
AGM605C Bảng dữ liệu
AGM605C Ảnh
AGM605C Giá
AGM605C Lời đề nghị
AGM605C Giá thấp nhất
AGM605C Tìm kiếm
AGM605C Thu mua
AGM605C Chip