AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM10N65F
N-channel 650V 10A 0.98Ω
Mã sản phẩm
AGM10N65F
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
TO-220F
đóng gói
Tube
Số lượng gói
50
Sự miêu tả
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 10A Power (Pd): 65W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 0.98Ω@10V, 5A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 48nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.377nF@25V, Vds=650v Id=10A Rds=0.98mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 66439 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của AGM10N65F
AGM10N65F Linh kiện điện tử
AGM10N65F Việc bán hàng
AGM10N65F Nhà cung cấp
AGM10N65F Nhà phân phối
AGM10N65F Bảng dữ liệu
AGM10N65F Ảnh
AGM10N65F Giá
AGM10N65F Lời đề nghị
AGM10N65F Giá thấp nhất
AGM10N65F Tìm kiếm
AGM10N65F Thu mua
AGM10N65F Chip