AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM1099E AGM1099E

AGM1099E

AGM1099E
Mã sản phẩm
AGM1099E
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
SOT-23-3
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 5.0A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,4A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 3.57nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.182nF@50V , Vds=100V Id=5.0A Rds=100mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 62248 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của AGM1099E
AGM1099E Linh kiện điện tử
AGM1099E Việc bán hàng
AGM1099E Nhà cung cấp
AGM1099E Nhà phân phối
AGM1099E Bảng dữ liệu
AGM1099E Ảnh
AGM1099E Giá
AGM1099E Lời đề nghị
AGM1099E Giá thấp nhất
AGM1099E Tìm kiếm
AGM1099E Thu mua
AGM1099E Chip