Mua Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3

Trung Quốc
Nhà cung cấp linh kiện điện tử chuyên nghiệp

Danh mục Nhà sản xuất của CN ICs

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3

Mã sản phẩm

TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Toshiba Semiconductor and Storage

Loạt

U-MOSVI

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

DPAK+

Tản điện (Tối đa)

100W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

40V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

80A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

5.2 mOhm @ 40A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

158nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

7770pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6V, 10V

VSS (Tối đa)

+10V, -20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 43794 PCS

Thông tin liên lạc