FQD9N25TM-F080
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Mã sản phẩm
FQD9N25TM-F080
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
250V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20904 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD9N25TM-F080
FQD9N25TM-F080 Linh kiện điện tử
FQD9N25TM-F080 Việc bán hàng
FQD9N25TM-F080 Nhà cung cấp
FQD9N25TM-F080 Nhà phân phối
FQD9N25TM-F080 Bảng dữ liệu
FQD9N25TM-F080 Ảnh
FQD9N25TM-F080 Giá
FQD9N25TM-F080 Lời đề nghị
FQD9N25TM-F080 Giá thấp nhất
FQD9N25TM-F080 Tìm kiếm
FQD9N25TM-F080 Thu mua
FQD9N25TM-F080 Chip