Mua ON Semiconductor FCD380N60E MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

FCD380N60E

MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK

Mã sản phẩm

FCD380N60E

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

SuperFET® II

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

D-Pak

Tản điện (Tối đa)

106W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10.2A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

380 mOhm @ 5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

45nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 11605 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

FCD3400N80Z

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK