Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
LND150K1-G

LND150K1-G

MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
Mã sản phẩm
LND150K1-G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-23-3
Tản điện (Tối đa)
360mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
13mA (Tj)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1000 Ohm @ 500µA, 0V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
10pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
0V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24282 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của LND150K1-G
LND150K1-G Linh kiện điện tử
LND150K1-G Việc bán hàng
LND150K1-G Nhà cung cấp
LND150K1-G Nhà phân phối
LND150K1-G Bảng dữ liệu
LND150K1-G Ảnh
LND150K1-G Giá
LND150K1-G Lời đề nghị
LND150K1-G Giá thấp nhất
LND150K1-G Tìm kiếm
LND150K1-G Thu mua
LND150K1-G Chip