Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MG12150S-BN2MM
IGBT 1200V 200A 625W PKG S
Mã sản phẩm
MG12150S-BN2MM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 125°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
S-3 Module
Sức mạnh tối đa
625W
Cấu hình
Half Bridge
Gói thiết bị của nhà cung cấp
S3
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
200A
Điện áp - Sự cố bộ phát cực thu (Tối đa)
1200V
Hiện tại - Ngưỡng thu thập (Tối đa)
1mA
Loại IGBT
Trench Field Stop
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 150A (Typ)
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce
10.5nF @ 25V
Đầu vào
Standard
Điện trở nhiệt NTC
No
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42079 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của MG12150S-BN2MM
MG12150S-BN2MM Linh kiện điện tử
MG12150S-BN2MM Việc bán hàng
MG12150S-BN2MM Nhà cung cấp
MG12150S-BN2MM Nhà phân phối
MG12150S-BN2MM Bảng dữ liệu
MG12150S-BN2MM Ảnh
MG12150S-BN2MM Giá
MG12150S-BN2MM Lời đề nghị
MG12150S-BN2MM Giá thấp nhất
MG12150S-BN2MM Tìm kiếm
MG12150S-BN2MM Thu mua
MG12150S-BN2MM Chip