Mua Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1 MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPDD60R102G7XTMA1

MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Mã sản phẩm

IPDD60R102G7XTMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™ G7

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

10-PowerSOP Module

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-HDSOP-10-1

Tản điện (Tối đa)

139W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

102 mOhm @ 7.8A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 390µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

34nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 400V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 18383 PCS

Thông tin liên lạc