Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DMJ70H1D3SJ3
MOSFET N-CH TO251
Mã sản phẩm
DMJ70H1D3SJ3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 155°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-251
Tản điện (Tối đa)
41W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
700V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13.9nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
351pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
-
VSS (Tối đa)
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15433 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của DMJ70H1D3SJ3
DMJ70H1D3SJ3 Linh kiện điện tử
DMJ70H1D3SJ3 Việc bán hàng
DMJ70H1D3SJ3 Nhà cung cấp
DMJ70H1D3SJ3 Nhà phân phối
DMJ70H1D3SJ3 Bảng dữ liệu
DMJ70H1D3SJ3 Ảnh
DMJ70H1D3SJ3 Giá
DMJ70H1D3SJ3 Lời đề nghị
DMJ70H1D3SJ3 Giá thấp nhất
DMJ70H1D3SJ3 Tìm kiếm
DMJ70H1D3SJ3 Thu mua
DMJ70H1D3SJ3 Chip