HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTR4101PT1G-HXY
P-channel 20V 3A
Mã sản phẩm
NTR4101PT1G-HXY
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
đóng gói
SOT-23
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
Field effect transistor (MOSFET) Type: P channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous drain current (Id): 3A On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@4.5V, 3A
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53607 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
N-Channel 30V 500mA Single N-Channel Small Signal MOSFET, 30V, 560mA, 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 500mA Single N-Channel Small Signal MOSFET, 30V, 560mA, 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 3.2A Single P-Channel, Trench, Power MOSFET, -20V, -3.2A, 85mΩ
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NTR4101PT1G-HXY
NTR4101PT1G-HXY Linh kiện điện tử
NTR4101PT1G-HXY Việc bán hàng
NTR4101PT1G-HXY Nhà cung cấp
NTR4101PT1G-HXY Nhà phân phối
NTR4101PT1G-HXY Bảng dữ liệu
NTR4101PT1G-HXY Ảnh
NTR4101PT1G-HXY Giá
NTR4101PT1G-HXY Lời đề nghị
NTR4101PT1G-HXY Giá thấp nhất
NTR4101PT1G-HXY Tìm kiếm
NTR4101PT1G-HXY Thu mua
NTR4101PT1G-HXY Chip