onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NSS40302PDR2G 1 NPN and 1 PNP 40V 3A low VCE(sat) transistors, complementary, 40 V, 6.0 A

NSS40302PDR2G

1 NPN and 1 PNP 40V 3A low VCE(sat) transistors, complementary, 40 V, 6.0 A
Mã sản phẩm
NSS40302PDR2G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SOIC-8
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
ON Semiconductor's e2PowerEdge series of low VCE(sat) bipolar transistors are surface mount devices with ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require economical and efficient energy control. Typical applications are low voltage motor control in mass storage products such as disk drives and tape drives. In the automotive industry, they are used in airbag deployment and various instrument panels. The high current gain allows the e2PowerEdge device to be driven directly from the control output of a PMU, while the linear gain (Beta) makes it an ideal component for an analog amplifier.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 72302 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G Linh kiện điện tử
NSS40302PDR2G Việc bán hàng
NSS40302PDR2G Nhà cung cấp
NSS40302PDR2G Nhà phân phối
NSS40302PDR2G Bảng dữ liệu
NSS40302PDR2G Ảnh
NSS40302PDR2G Giá
NSS40302PDR2G Lời đề nghị
NSS40302PDR2G Giá thấp nhất
NSS40302PDR2G Tìm kiếm
NSS40302PDR2G Thu mua
NSS40302PDR2G Chip