onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NSS35200MR6T1G
PNP 35V 2A Low Saturation Transistor, PNP, 35 V, 5.0 A
Mã sản phẩm
NSS35200MR6T1G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SOT-23-6
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
Low saturation voltage bipolar transistors are miniature surface mount devices with ultra-low saturation voltage and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require cost-effective, efficient energy control.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 60121 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NSS35200MR6T1G
NSS35200MR6T1G Linh kiện điện tử
NSS35200MR6T1G Việc bán hàng
NSS35200MR6T1G Nhà cung cấp
NSS35200MR6T1G Nhà phân phối
NSS35200MR6T1G Bảng dữ liệu
NSS35200MR6T1G Ảnh
NSS35200MR6T1G Giá
NSS35200MR6T1G Lời đề nghị
NSS35200MR6T1G Giá thấp nhất
NSS35200MR6T1G Tìm kiếm
NSS35200MR6T1G Thu mua
NSS35200MR6T1G Chip