onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NSS20101JT1G NPN 20V 1A 20 V, 1.0 A, low saturation voltage, NPN bipolar transistor

NSS20101JT1G

NPN 20V 1A 20 V, 1.0 A, low saturation voltage, NPN bipolar transistor
Mã sản phẩm
NSS20101JT1G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SC-89-3
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
ON Semiconductor's e2PowerEdge series of low saturation voltage bipolar transistors are miniature surface mount devices with ultra-low saturation voltage and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require cost-effective, efficient energy control. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras and MP3 players. Other applications are low voltage motor control in mass storage products such as disk drives and tape drives. In the automotive industry, they are used in airbag deployment and various instrument panels. The high current gain allows the e2PowerEdge device to be driven directly from the control output of a PMU, while the linear gain (Beta) makes it an ideal component for an analog amplifier.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 73523 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NSS20101JT1G
NSS20101JT1G Linh kiện điện tử
NSS20101JT1G Việc bán hàng
NSS20101JT1G Nhà cung cấp
NSS20101JT1G Nhà phân phối
NSS20101JT1G Bảng dữ liệu
NSS20101JT1G Ảnh
NSS20101JT1G Giá
NSS20101JT1G Lời đề nghị
NSS20101JT1G Giá thấp nhất
NSS20101JT1G Tìm kiếm
NSS20101JT1G Thu mua
NSS20101JT1G Chip