onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NGTB50N65FL2WG
Trench Field Stop 417W 650V 100A IGBT 650V 50A FS2 Solar/UPS
Mã sản phẩm
NGTB50N65FL2WG
Loại
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
TO-247-3
đóng gói
Tube
Số lượng gói
30
Sự miêu tả
Utilizing a durable and cost-effective Field Stop II trench structure, this Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications, along with low on-state voltage and lowest switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a flexible and fast co-encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 59869 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Trench Field Stop 349W 1.2kV 100A IGBT, Super Field Stop — 1200V 25A
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NGTB50N65FL2WG
NGTB50N65FL2WG Linh kiện điện tử
NGTB50N65FL2WG Việc bán hàng
NGTB50N65FL2WG Nhà cung cấp
NGTB50N65FL2WG Nhà phân phối
NGTB50N65FL2WG Bảng dữ liệu
NGTB50N65FL2WG Ảnh
NGTB50N65FL2WG Giá
NGTB50N65FL2WG Lời đề nghị
NGTB50N65FL2WG Giá thấp nhất
NGTB50N65FL2WG Tìm kiếm
NGTB50N65FL2WG Thu mua
NGTB50N65FL2WG Chip