onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NGTB35N65FL2WG
Trench Field Stop 300W 650V 70A IGBT 650V 35A FS2 Solar/UPS
Mã sản phẩm
NGTB35N65FL2WG
Loại
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
TO-247
đóng gói
Tube
Số lượng gói
30
Sự miêu tả
This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. This device integrates a soft, fast combined encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 67039 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Trench Field Stop 349W 1.2kV 100A IGBT, Super Field Stop — 1200V 25A
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NGTB35N65FL2WG
NGTB35N65FL2WG Linh kiện điện tử
NGTB35N65FL2WG Việc bán hàng
NGTB35N65FL2WG Nhà cung cấp
NGTB35N65FL2WG Nhà phân phối
NGTB35N65FL2WG Bảng dữ liệu
NGTB35N65FL2WG Ảnh
NGTB35N65FL2WG Giá
NGTB35N65FL2WG Lời đề nghị
NGTB35N65FL2WG Giá thấp nhất
NGTB35N65FL2WG Tìm kiếm
NGTB35N65FL2WG Thu mua
NGTB35N65FL2WG Chip