HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NDS331N-HXY
N-channel 20V 2.3A
Mã sản phẩm
NDS331N-HXY
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
đóng gói
SOT-23
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 2.3A, RDON on-resistance 55mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 81150 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
N-Channel 20V 1.3A N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor, 20V, 1.3A, 0.21Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 20V 1A P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor, -20V, -1A, 0.41Ω
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NDS331N-HXY
NDS331N-HXY Linh kiện điện tử
NDS331N-HXY Việc bán hàng
NDS331N-HXY Nhà cung cấp
NDS331N-HXY Nhà phân phối
NDS331N-HXY Bảng dữ liệu
NDS331N-HXY Ảnh
NDS331N-HXY Giá
NDS331N-HXY Lời đề nghị
NDS331N-HXY Giá thấp nhất
NDS331N-HXY Tìm kiếm
NDS331N-HXY Thu mua
NDS331N-HXY Chip