onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NCD57000DWR2G Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.

NCD57000DWR2G

Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
Mã sản phẩm
NCD57000DWR2G
Loại
Power Chip > Gate Driver IC
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SOIC-16-300mil
đóng gói
taping
Số lượng gói
1000
Sự miêu tả
The NCD57000 is a high current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation for high system efficiency and reliability in high power applications. Features include complementary inputs, open-drain FAULT and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLO, DESAT protection, soft shutdown on DESAT, and separate high and low driver outputs (OUTH and OUTL ). The NCD57000 can accommodate 5V and 3.3V signals on the input side, and a wide range of bias voltages on the driver side, including negative voltage capability. The NCD57000 provides > 5 kVrms (UL1577 rated) galvanic isolation and > 1200 Viorm (working voltage). The NCD57000 uses a wide body SOIC-16 encapsulation that guarantees 8 mm creepage distance between input and output, meeting reinforced safety insulation requirements.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 69307 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G Linh kiện điện tử
NCD57000DWR2G Việc bán hàng
NCD57000DWR2G Nhà cung cấp
NCD57000DWR2G Nhà phân phối
NCD57000DWR2G Bảng dữ liệu
NCD57000DWR2G Ảnh
NCD57000DWR2G Giá
NCD57000DWR2G Lời đề nghị
NCD57000DWR2G Giá thấp nhất
NCD57000DWR2G Tìm kiếm
NCD57000DWR2G Thu mua
NCD57000DWR2G Chip