LGE (Lu Guang)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
LGE3D20120H
1.2kV 20A 1.45V@20A Silicon carbideSilicon carbide (SiC)
Mã sản phẩm
LGE3D20120H
Loại
diode > Schottky diode
Nhà sản xuất/Thương hiệu
LGE (Lu Guang)
đóng gói
TO-247-2L
đóng gói
Tube
Số lượng gói
30
Sự miêu tả
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1.2kV Average rectified current (Io): 20A Forward voltage drop (Vf): 1.45V@20A \n Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can Provides excellent switching performance with higher reliability than silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance of Silicon carbide
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 51700 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của LGE3D20120H
LGE3D20120H Linh kiện điện tử
LGE3D20120H Việc bán hàng
LGE3D20120H Nhà cung cấp
LGE3D20120H Nhà phân phối
LGE3D20120H Bảng dữ liệu
LGE3D20120H Ảnh
LGE3D20120H Giá
LGE3D20120H Lời đề nghị
LGE3D20120H Giá thấp nhất
LGE3D20120H Tìm kiếm
LGE3D20120H Thu mua
LGE3D20120H Chip