MSKSEMI (Mesenco)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
L2N7002DW1T1G-MS
L2N7002DW1T1G-MS
Mã sản phẩm
L2N7002DW1T1G-MS
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
MSKSEMI (Mesenco)
đóng gói
SOT-363
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
MOS tube type: 2 N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 300mA Power (Pd): 280mW On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V ,300mA
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 89090 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của L2N7002DW1T1G-MS
L2N7002DW1T1G-MS Linh kiện điện tử
L2N7002DW1T1G-MS Việc bán hàng
L2N7002DW1T1G-MS Nhà cung cấp
L2N7002DW1T1G-MS Nhà phân phối
L2N7002DW1T1G-MS Bảng dữ liệu
L2N7002DW1T1G-MS Ảnh
L2N7002DW1T1G-MS Giá
L2N7002DW1T1G-MS Lời đề nghị
L2N7002DW1T1G-MS Giá thấp nhất
L2N7002DW1T1G-MS Tìm kiếm
L2N7002DW1T1G-MS Thu mua
L2N7002DW1T1G-MS Chip