onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
H11G1TVM DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High Voltage Photoelectric Darlington Output Optocoupler

H11G1TVM

DC Input Isolation Voltage (rms): 4170V High Voltage Photoelectric Darlington Output Optocoupler
Mã sản phẩm
H11G1TVM
Loại
Optocoupler/LED/Digital Tube/Optoelectronic Device > Optocoupler-Phototransistor Output
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
DIP-6
đóng gói
bagged
Số lượng gói
1000
Sự miêu tả
The H11G1M and H11G2M are opto-Darlington optocouplers. These devices feature a GaAs infrared emitting diode coupled to a silicon Darlington junction phototransistor with an integrated base-emitter resistor for optimized high temperature characteristics.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54342 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của H11G1TVM
H11G1TVM Linh kiện điện tử
H11G1TVM Việc bán hàng
H11G1TVM Nhà cung cấp
H11G1TVM Nhà phân phối
H11G1TVM Bảng dữ liệu
H11G1TVM Ảnh
H11G1TVM Giá
H11G1TVM Lời đề nghị
H11G1TVM Giá thấp nhất
H11G1TVM Tìm kiếm
H11G1TVM Thu mua
H11G1TVM Chip