VBsemi (Wei Bi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FDD10AN06A0-VB
FDD10AN06A0-VB
Mã sản phẩm
FDD10AN06A0-VB
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
VBsemi (Wei Bi)
đóng gói
TO252
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
N-channel, 60V, 60A, RDS(ON), 9mΩ@10V, 11mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.87Vth(V); TO252
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 94416 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
N-Channel 60V 9.9A 50A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của FDD10AN06A0-VB
FDD10AN06A0-VB Linh kiện điện tử
FDD10AN06A0-VB Việc bán hàng
FDD10AN06A0-VB Nhà cung cấp
FDD10AN06A0-VB Nhà phân phối
FDD10AN06A0-VB Bảng dữ liệu
FDD10AN06A0-VB Ảnh
FDD10AN06A0-VB Giá
FDD10AN06A0-VB Lời đề nghị
FDD10AN06A0-VB Giá thấp nhất
FDD10AN06A0-VB Tìm kiếm
FDD10AN06A0-VB Thu mua
FDD10AN06A0-VB Chip