DIODES (US and Taiwan)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A FET

DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 N+P MOS ±30V ±12V 3.4A/-2.3A FET
Mã sản phẩm
DMG6601LVT-7
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
DIODES (US and Taiwan)
đóng gói
SOT-26
đóng gói
taping
Số lượng gói
3000
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 77645 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7 Linh kiện điện tử
DMG6601LVT-7 Việc bán hàng
DMG6601LVT-7 Nhà cung cấp
DMG6601LVT-7 Nhà phân phối
DMG6601LVT-7 Bảng dữ liệu
DMG6601LVT-7 Ảnh
DMG6601LVT-7 Giá
DMG6601LVT-7 Lời đề nghị
DMG6601LVT-7 Giá thấp nhất
DMG6601LVT-7 Tìm kiếm
DMG6601LVT-7 Thu mua
DMG6601LVT-7 Chip