DIODES (US and Taiwan)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DGD2012S8-13
Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A
Mã sản phẩm
DGD2012S8-13
Loại
Power Chip > Gate Driver IC
Nhà sản xuất/Thương hiệu
DIODES (US and Taiwan)
đóng gói
SO-8
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 96677 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Từ khóa của DGD2012S8-13
DGD2012S8-13 Linh kiện điện tử
DGD2012S8-13 Việc bán hàng
DGD2012S8-13 Nhà cung cấp
DGD2012S8-13 Nhà phân phối
DGD2012S8-13 Bảng dữ liệu
DGD2012S8-13 Ảnh
DGD2012S8-13 Giá
DGD2012S8-13 Lời đề nghị
DGD2012S8-13 Giá thấp nhất
DGD2012S8-13 Tìm kiếm
DGD2012S8-13 Thu mua
DGD2012S8-13 Chip