AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM206MAP N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

AGM206MAP

N+N channel 20V 25A 4.5mΩ
Mã sản phẩm
AGM206MAP
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
PDFN3x3
đóng gói
taping
Số lượng gói
5000
Sự miêu tả
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 96912 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của AGM206MAP
AGM206MAP Linh kiện điện tử
AGM206MAP Việc bán hàng
AGM206MAP Nhà cung cấp
AGM206MAP Nhà phân phối
AGM206MAP Bảng dữ liệu
AGM206MAP Ảnh
AGM206MAP Giá
AGM206MAP Lời đề nghị
AGM206MAP Giá thấp nhất
AGM206MAP Tìm kiếm
AGM206MAP Thu mua
AGM206MAP Chip