onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AFGY160T65SPD-B4
Trench Field Stop 882W 650V 240A IGBT - 650V, 160A Field Stop Trench IGBT with VCESAT and VTH Binning
Mã sản phẩm
AFGY160T65SPD-B4
Loại
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
TO-247-3
đóng gói
Tube
Số lượng gói
30
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 68519 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Trench field stop 660W 650V 120A IGBT - 650 V 100 A FS3 for EV traction inverter application
onsemi (Ansemi)
Trench field stop 660W 650V 120A IGBT - 650 V 100 A FS3 for EV traction inverter application
onsemi (Ansemi)
Trench Field Stop 882W 650V 240A IGBT - 650V, 160A Field Stop Trench IGBT with VCESAT and VTH Binning
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của AFGY160T65SPD-B4
AFGY160T65SPD-B4 Linh kiện điện tử
AFGY160T65SPD-B4 Việc bán hàng
AFGY160T65SPD-B4 Nhà cung cấp
AFGY160T65SPD-B4 Nhà phân phối
AFGY160T65SPD-B4 Bảng dữ liệu
AFGY160T65SPD-B4 Ảnh
AFGY160T65SPD-B4 Giá
AFGY160T65SPD-B4 Lời đề nghị
AFGY160T65SPD-B4 Giá thấp nhất
AFGY160T65SPD-B4 Tìm kiếm
AFGY160T65SPD-B4 Thu mua
AFGY160T65SPD-B4 Chip