Mua Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Mã sản phẩm

SQM120N10-3M8_GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-263 (D²Pak)

Tản điện (Tối đa)

375W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

190nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

7230pF @ 25V

VSS (Tối đa)

±20V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 18373 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SQM100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO263