Mua Vishay Siliconix SI8417DB-T2-E1 MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SI8417DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Mã sản phẩm

SI8417DB-T2-E1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-MICRO FOOT™

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Tản điện (Tối đa)

2.9W (Ta), 6.57W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

14.5A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

21 mOhm @ 1A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

900mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

57nC @ 5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2220pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 52070 PCS

Thông tin liên lạc