Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7858ADP-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
1.9W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.6 mOhm @ 29A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
80nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43397 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7858ADP-T1-E3
SI7858ADP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7858ADP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7858ADP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7858ADP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7858ADP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7858ADP-T1-E3 Ảnh
SI7858ADP-T1-E3 Giá
SI7858ADP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7858ADP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7858ADP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7858ADP-T1-E3 Thu mua
SI7858ADP-T1-E3 Chip