Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7117DN-T1-E3

SI7117DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7117DN-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
150V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.17A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28540 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7117DN-T1-E3
SI7117DN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7117DN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7117DN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7117DN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7117DN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7117DN-T1-E3 Ảnh
SI7117DN-T1-E3 Giá
SI7117DN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7117DN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7117DN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7117DN-T1-E3 Thu mua
SI7117DN-T1-E3 Chip