Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI6463BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Mã sản phẩm
SI6463BDQ-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-TSSOP
Tản điện (Tối đa)
1.05W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
15 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
800mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
60nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36207 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI6463BDQ-T1-E3
SI6463BDQ-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI6463BDQ-T1-E3 Việc bán hàng
SI6463BDQ-T1-E3 Nhà cung cấp
SI6463BDQ-T1-E3 Nhà phân phối
SI6463BDQ-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI6463BDQ-T1-E3 Ảnh
SI6463BDQ-T1-E3 Giá
SI6463BDQ-T1-E3 Lời đề nghị
SI6463BDQ-T1-E3 Giá thấp nhất
SI6463BDQ-T1-E3 Tìm kiếm
SI6463BDQ-T1-E3 Thu mua
SI6463BDQ-T1-E3 Chip