Mua Texas Instruments CSD16556Q5B MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

CSD16556Q5B

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Mã sản phẩm

CSD16556Q5B

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Texas Instruments

Loạt

NexFET™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerTDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-VSONP (5x6)

Tản điện (Tối đa)

3.2W (Ta), 191W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

25V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.07 mOhm @ 30A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.7V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

47nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

6180pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 11827 PCS

Thông tin liên lạc