Mua Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

TSM6502CR RLG

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Mã sản phẩm

TSM6502CR RLG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Taiwan Semiconductor Corporation

Loạt

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerTDFN

Sức mạnh tối đa

40W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PDFN (5x6)

Loại FET

N and P-Channel

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

24A (Tc), 18A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 54702 PCS

Thông tin liên lạc