Mua STMicroelectronics STH275N8F7-6AG MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

STH275N8F7-6AG

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

Mã sản phẩm

STH275N8F7-6AG

Nhà sản xuất/Thương hiệu

STMicroelectronics

Loạt

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

H2PAK-6

Tản điện (Tối đa)

315W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

80V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

2.1 mOhm @ 90A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

193nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 16925 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

STH210N75F6-2

MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2