Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
STB33N65M2

STB33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Mã sản phẩm
STB33N65M2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
MDmesh™ M2
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK
Tản điện (Tối đa)
190W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
140 mOhm @ 12A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
41.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53607 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của STB33N65M2
STB33N65M2 Linh kiện điện tử
STB33N65M2 Việc bán hàng
STB33N65M2 Nhà cung cấp
STB33N65M2 Nhà phân phối
STB33N65M2 Bảng dữ liệu
STB33N65M2 Ảnh
STB33N65M2 Giá
STB33N65M2 Lời đề nghị
STB33N65M2 Giá thấp nhất
STB33N65M2 Tìm kiếm
STB33N65M2 Thu mua
STB33N65M2 Chip