Mua ON Semiconductor H11A617D OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

H11A617D

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP

Mã sản phẩm

H11A617D

Nhà sản xuất/Thương hiệu

ON Semiconductor

Loạt

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tube

Kiểu đầu vào

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 100°C

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Loại đầu ra

Transistor

số kênh

Gói thiết bị của nhà cung cấp

4-DIP

Hiện tại - Đầu ra / Kênh

50mA

Điện áp - Cách ly

5300Vrms

Thời gian tăng/giảm (loại)

2.4µs, 2.4µs

Điện áp - Đầu ra (Tối đa)

70V

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Typ)

1.35V

Hiện tại - Chuyển tiếp DC (Nếu) (Tối đa)

50mA

Tỷ lệ chuyển hiện tại (Tối thiểu)

160% @ 10mA

Tỷ lệ chuyển hiện tại (Tối đa)

320% @ 10mA

Thời gian bật/tắt (typ)

Độ bão hòa Vce (Tối đa)

400mV

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 9651 PCS

Thông tin liên lạc