Mua Microsemi Corporation JAN1N5621US DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

JAN1N5621US

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Mã sản phẩm

JAN1N5621US

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

Military, MIL-PRF-19500/429

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Bulk

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

SQ-MELF, A

Gói thiết bị của nhà cung cấp

D-5A

Loại điốt

Standard

Hiện tại - Chỉnh lưu trung bình (Io)

Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If

1.6V @ 3A

Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr

500nA @ 800V

Điện áp - DC ngược (Vr) (Tối đa)

800V

Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)

Thời gian phục hồi ngược (trr)

300ns

Nhiệt độ hoạt động - Ngã ba

-65°C ~ 175°C

Điện dung @ Vr, F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 9550 PCS

Thông tin liên lạc