Mua Infineon Technologies SPD08P06PGBTMA1 MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SPD08P06PGBTMA1

MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-252

Mã sản phẩm

SPD08P06PGBTMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

SIPMOS®

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO252-3

Tản điện (Tối đa)

42W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

8.83A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

300 mOhm @ 10A, 6.2V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

13nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6.2V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 42403 PCS

Thông tin liên lạc