Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
Mã sản phẩm
SPB08P06PGATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
SIPMOS®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
42W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
300 mOhm @ 6.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23050 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SPB08P06PGATMA1
SPB08P06PGATMA1 Linh kiện điện tử
SPB08P06PGATMA1 Việc bán hàng
SPB08P06PGATMA1 Nhà cung cấp
SPB08P06PGATMA1 Nhà phân phối
SPB08P06PGATMA1 Bảng dữ liệu
SPB08P06PGATMA1 Ảnh
SPB08P06PGATMA1 Giá
SPB08P06PGATMA1 Lời đề nghị
SPB08P06PGATMA1 Giá thấp nhất
SPB08P06PGATMA1 Tìm kiếm
SPB08P06PGATMA1 Thu mua
SPB08P06PGATMA1 Chip