Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFU3711PBF
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
Mã sản phẩm
IRFU3711PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
IPAK (TO-251)
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 120W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
44nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 49313 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFU3711PBF
IRFU3711PBF Linh kiện điện tử
IRFU3711PBF Việc bán hàng
IRFU3711PBF Nhà cung cấp
IRFU3711PBF Nhà phân phối
IRFU3711PBF Bảng dữ liệu
IRFU3711PBF Ảnh
IRFU3711PBF Giá
IRFU3711PBF Lời đề nghị
IRFU3711PBF Giá thấp nhất
IRFU3711PBF Tìm kiếm
IRFU3711PBF Thu mua
IRFU3711PBF Chip