Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFH5210TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
Mã sản phẩm
IRFH5210TRPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-PowerVDFN
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PQFN (5x6)
Tản điện (Tối đa)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
59nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2570pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22379 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFH5210TRPBF
IRFH5210TRPBF Linh kiện điện tử
IRFH5210TRPBF Việc bán hàng
IRFH5210TRPBF Nhà cung cấp
IRFH5210TRPBF Nhà phân phối
IRFH5210TRPBF Bảng dữ liệu
IRFH5210TRPBF Ảnh
IRFH5210TRPBF Giá
IRFH5210TRPBF Lời đề nghị
IRFH5210TRPBF Giá thấp nhất
IRFH5210TRPBF Tìm kiếm
IRFH5210TRPBF Thu mua
IRFH5210TRPBF Chip