Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFB38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Mã sản phẩm
IRFB38N20DPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
54 mOhm @ 26A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
91nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 32053 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFB38N20DPBF
IRFB38N20DPBF Linh kiện điện tử
IRFB38N20DPBF Việc bán hàng
IRFB38N20DPBF Nhà cung cấp
IRFB38N20DPBF Nhà phân phối
IRFB38N20DPBF Bảng dữ liệu
IRFB38N20DPBF Ảnh
IRFB38N20DPBF Giá
IRFB38N20DPBF Lời đề nghị
IRFB38N20DPBF Giá thấp nhất
IRFB38N20DPBF Tìm kiếm
IRFB38N20DPBF Thu mua
IRFB38N20DPBF Chip