Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF6604TR1

IRF6604TR1

MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Mã sản phẩm
IRF6604TR1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
DirectFET™ Isometric MQ
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DIRECTFET™ MQ
Tản điện (Tối đa)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Ta), 49A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.5 mOhm @ 12A, 7V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
26nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2270pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 7V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40924 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF6604TR1
IRF6604TR1 Linh kiện điện tử
IRF6604TR1 Việc bán hàng
IRF6604TR1 Nhà cung cấp
IRF6604TR1 Nhà phân phối
IRF6604TR1 Bảng dữ liệu
IRF6604TR1 Ảnh
IRF6604TR1 Giá
IRF6604TR1 Lời đề nghị
IRF6604TR1 Giá thấp nhất
IRF6604TR1 Tìm kiếm
IRF6604TR1 Thu mua
IRF6604TR1 Chip