Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF5803D2PBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Mã sản phẩm
IRF5803D2PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
FETKY™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
2W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
37nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12563 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF5803D2PBF
IRF5803D2PBF Linh kiện điện tử
IRF5803D2PBF Việc bán hàng
IRF5803D2PBF Nhà cung cấp
IRF5803D2PBF Nhà phân phối
IRF5803D2PBF Bảng dữ liệu
IRF5803D2PBF Ảnh
IRF5803D2PBF Giá
IRF5803D2PBF Lời đề nghị
IRF5803D2PBF Giá thấp nhất
IRF5803D2PBF Tìm kiếm
IRF5803D2PBF Thu mua
IRF5803D2PBF Chip