Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF3709PBF
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Mã sản phẩm
IRF3709PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
41nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 19715 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRF3709PBF
IRF3709PBF Linh kiện điện tử
IRF3709PBF Việc bán hàng
IRF3709PBF Nhà cung cấp
IRF3709PBF Nhà phân phối
IRF3709PBF Bảng dữ liệu
IRF3709PBF Ảnh
IRF3709PBF Giá
IRF3709PBF Lời đề nghị
IRF3709PBF Giá thấp nhất
IRF3709PBF Tìm kiếm
IRF3709PBF Thu mua
IRF3709PBF Chip