Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRF1010NPBF

IRF1010NPBF

MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Mã sản phẩm
IRF1010NPBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
180W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
55V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11 mOhm @ 43A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
120nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25100 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRF1010NPBF
IRF1010NPBF Linh kiện điện tử
IRF1010NPBF Việc bán hàng
IRF1010NPBF Nhà cung cấp
IRF1010NPBF Nhà phân phối
IRF1010NPBF Bảng dữ liệu
IRF1010NPBF Ảnh
IRF1010NPBF Giá
IRF1010NPBF Lời đề nghị
IRF1010NPBF Giá thấp nhất
IRF1010NPBF Tìm kiếm
IRF1010NPBF Thu mua
IRF1010NPBF Chip